DDR3-1866 Unbuffered SO-DIMM

TS512MSK64W8H

  • 4GB
  • Baja tensión

Unbuffered long DIMMs and small outline DIMMs with a lower operating voltage (1.35V) for greater energy efficiency compared with standard DDR3 modules that operate at 1.5V.

Especificaciones

Módulo DRAM

Tipo de RAM
DDR3
Tipo de DIMM
Unbuffered SO-DIMM
Velocidad
1866
Latencia CAS
CL13
Capacidad
4GB
Rango
1Rx8
DRAM
(512Mx8)x8
Voltaje
1.35V
Pin
204 pin
Altura de PCB
1.18 Pulgadas

Entorno Operativo

Temperatura de Funcionamiento
  • Estándar
    0°C (32°F) ~ 85°C (185°F)
  • Temp. Amplia
    °C (°F) ~ °C (°F)

Garantía

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