DDR3-1600 Unbuffered SO-DIMM

TS512MSK64W6H3-I

  • 4GB
  • Baja tensión y Temperatura Amplia

Especificaciones

Módulo DRAM

Tipo de RAM
DDR3
Tipo de DIMM
Unbuffered SO-DIMM
Velocidad
1600
Latencia CAS
CL11
Capacidad
4GB
Rango
1Rx8
DRAM
(512Mx8)x8
Voltaje
1.35V
Pin
204 pin
Altura de PCB
1.18 Pulgadas
Espesor de dedo de oro de PCB
30 µ”

Entorno Operativo

Temperatura de Funcionamiento
  • Estándar
    °C (°F) ~ °C (°F)
  • Temp. Amplia
    -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)

Garantía

Garantía
  • Garantia Limitada de por Vida
Política de Garantía
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